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J-GLOBAL ID:200903055340171327
熱処理方法及び熱処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998228135
Publication number (International publication number):2000058423
Application date: Aug. 12, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 高精度なパターンを得るために基板表面の温度を精度良く測定することができ、かつ基板の表面温度をin-situ でモニタし加熱制御等に即座にフィードバックできる。【解決手段】 石英基板上にCr膜が形成され、その上にレジスト膜が形成されたマスクブランクス1を裏面側から加熱するヒータ2a,2bと、マスクブランクス1のレジスト表面の温度を非接触で測定する赤外センサ5と、赤外センサ5に対しマスクブランクス1の表面測定個所を中心にして鏡面の位置関係にあるように配置された黒体4とを備えた熱処理装置において、赤外センサ5による測定波長をマスクブランクス1で殆ど透過しない範囲である11μmに設定した。
Claim (excerpt):
基板上に感光性薄膜が形成された被処理基体の表面の温度を放射温度計により非接触で測定しながら、被処理基体を所望温度に加熱する熱処理方法であって、前記放射温度計による測定波長を2.7〜2.8μmの範囲、又は4.3μm以上に設定したことを特徴とする熱処理方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/30 567
, G03F 7/38
F-Term (5):
2H096AA25
, 2H096DA01
, 5F046KA04
, 5F046KA07
, 5F046KA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平4-025729
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特開平2-259535
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基体温度測定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-203408
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平4-134226
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半導体ウェーハの熱処理方法及び熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-124280
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭57-026433
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