III族窒化物半導体の積層構造及びその製造方法と半導体発光素子とランプ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007232942
Publication number (International publication number)：2008115463
Application date： Sep. 07, 2007
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にIII族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたIII族窒化物よりなる第1の層8を備え、少なくとも第1の層に接してIII族窒化物材料からなる第2の層7を備えたIII族窒化物半導体の積層構造Aにおいて、前記第1の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第1の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、1.0×10-3Pa以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、スパッタ法によって成膜されたIII族窒化物よりなる第1の層を備え、少なくとも第1の層に接してIII族窒化物材料からなる第2の層を備えたIII族窒化物半導体の積層構造において、前記第1の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第1の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、1.0×10-3Pa以下の条件で製造された単結晶組織からなる層であることを特徴とする、III族窒化物半導体の積層構造。

IPC (8)：

C23C 14/58 , H01L 21/205 , H01L 21/203 , C23C 14/34 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (8)：

C23C14/58 B , H01L21/205 , H01L21/203 S , C23C14/34 N , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L33/00 C , H01S5/323 610

F-Term (62)：

4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB09 , 4K029CA06 , 4K029DA08 , 4K029DB03 , 4K029DC35 , 4K029DC44 , 4K029EA01 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029FA05 , 4K029GA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045HA06 , 5F103AA08 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN04 , 5F103NN10 , 5F103RR05 , 5F103RR06 , 5F173AH04 , 5F173AP05 , 5F173AR81

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特許第3026087号公報
特開平4-297023号公報
特公平5-86646号公報

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Cited by examiner (2)

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-121692 Applicant：豊田合成株式会社
エピタキシャル基板及び半導体積層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-249059 Applicant：日本碍子株式会社

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