エピタキシャル基板及び半導体積層構造

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002249059
Publication number (International publication number)：2004083359
Application date： Aug. 28, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にはAl含有窒化物膜を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供する。【解決手段】厚さが600μm以上の基材上に、転位密度が1×1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、少なくともAlを含むIII族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

厚さが600μm以上の基材と、この基材上において形成された、転位密度が1×1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、少なくともAlを含むIII族窒化物層とを具えることを特徴とする、エピタキシャル基板。

IPC (4)：

C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (4)：

C30B29/38 C , H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610

F-Term (27)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB08 , 4G077BE13 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077TK01 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA51 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045HA04 , 5F073CB02 , 5F073CB03 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-137722 Applicant：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-314662 Applicant：日本碍子株式会社
フォトニックデバイス用基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-114067 Applicant：日本碍子株式会社

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