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J-GLOBAL ID：200903055486938263

炭化珪素半導体へのイオン注入方法

Inventor： 伊藤 久義
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998240021
Publication number (International publication number)：2000068225
Application date： Aug. 26, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 SiC半導体素子を製作する際に、アクセプター原子に加えてC原子を付加的にイオン注入することで良質なp型SiC半導体素子を形成する。【構成】 炭化珪素半導体(SiC)に、アルミニウム(Al)及びホウ素(B)等のアクセプター原子をイオン注入により導入する時、これらの原子に加えて炭素(C)原子を付加的にイオン注入することで、SiCに注入したアクセプター原子の電気的活性化率を向上するとともに熱処理による拡散を抑制することからなる、良質なp型SiC半導体を製作する方法。

Claim (excerpt)：

炭化珪素半導体(SiC)にイオン注入によりアクセプター原子を導入する時、これらの原子に加えて炭素(C)原子を付加的にイオン注入することで良質なp型SiCを製作する方法。

FI (2)：

H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• p型炭化珪素半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-219255   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241381   Applicant：株式会社豊田中央研究所