配線構造とこれを利用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 稲積朋子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003556848
Publication number (International publication number)：2005513808
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ag層は銀や銀合金からなり、保護層はIZO、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている第1信号線と、前記第1信号線上に形成されている第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1信号線と交差している第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線と電気的に連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタの所定の電極を露出させる第1接触孔を有する第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記薄膜トランジスタの所定の電極と連結されている画素電極と、を含み、前記第1信号線及び第2信号線のうちの少なくとも一つは、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなる薄膜トランジスタ基板。

IPC (8)：

H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/768 , H05B33/12 , H05B33/14

FI (13)：

H01L29/78 616U , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 330Z , G09F9/30 338 , G09F9/30 349B , H05B33/12 E , H05B33/14 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 617L , H01L29/78 619A , H01L29/78 612D , H01L21/90 C

F-Term (117)：

2H092HA03 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB56 , 2H092JB63 , 2H092JB66 , 2H092JB68 , 2H092KB04 , 2H092KB25 , 2H092MA18 , 2H092NA28 , 2H092PA08 , 3K007AB11 , 3K007BA06 , 3K007BB06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA05 , 5C094AA25 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094FB02 , 5C094JA13 , 5F033HH05 , 5F033HH07 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH22 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033KK07 , 5F033KK14 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK20 , 5F033KK22 , 5F033LL01 , 5F033MM08 , 5F033MM11 , 5F033NN33 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW09 , 5F033XX02 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F110AA03 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

液晶表示装置及びその配線構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-050040 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-033151 Applicant：富士通株式会社
表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-126632 Applicant：三星電子株式会社

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