Pat
J-GLOBAL ID:200903022123013998

表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000126632
Publication number (International publication number):2001005038
Application date: Apr. 26, 2000
Publication date: Jan. 12, 2001
Summary:
【要約】【課題】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する時、マスクの数を減らすことができる新たな方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、ゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、半導体パターンを形成する段階と、抵抗性接触層パターンを形成する段階と、互いに分離されて形成されており、同一層で作られたソース電極及びドレーン電極と、ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、ドレーン電極を露出させる第1接触孔を有している赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階とを含み、ソース及びドレーン電極の分離は、ソース電極及びドレーン電極の間に位置して第1厚さを有する第1部分と、第1厚さより厚い厚さを有する第2部分及び第1厚さより薄い第3部分を含む感光膜パターンを利用してソース及びドレーン電極を分離する。
Claim (excerpt):
絶縁基板上にゲート線及びこれと連結されたゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンを形成する段階と、前記半導体パターン上に抵抗性接触層パターンを形成する段階と、前記接触層パターン上に互いに分離されて形成されており、同一層で作られたソース電極及びドレーン電極と、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線を覆って前記ドレーン電極を露出させる第1接触孔を有している赤、緑、青のカラーフィルターを形成する段階と、前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は感光膜パターンを利用した写真エッチング工程を通じて行われ、前記感光膜パターンは前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置して第1厚さを有する第1部分と、前記第1厚さより厚い厚さを有する第2部分及び第1厚さより薄い第3部分を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (8):
G02F 1/1368 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (8):
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1335 505 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 B ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 三国電子IPSTFT-LCDを2PEPで製造するプロセスを考案 TFTチャネル部分をハーフトーン露光

Return to Previous Page