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J-GLOBAL ID：200903055599478811

半導体発光装置およびその製造方法

Inventor：
玉村 好司

About 玉村 好司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997332840
Publication number (International publication number)：1999168257
Application date： Dec. 03, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 しきい値電流および動作電流の低減を図ることができるとともに、横モードの制御を図ることができる、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置において、第2導電型のクラッド層8上にストライプ形状を有する第2導電型のコンタクト層10を設け、このコンタクト層10の両側の部分に、少なくとも一部が電気的にほぼ絶縁性の窒化物系III-V族化合物半導体からなる電流狭窄層11、12を設けて電流狭窄構造を形成する。このような電流狭窄構造を形成するには、クラッド層8上にエッチングストップ層9および電流狭窄層11、12を成長させた後、エッチングストップ層9を用いて電流狭窄層11、12を選択的にエッチングすることによりストライプ形状の開口を形成し、この開口の内部にコンタクト層10を選択的に成長させて埋め込む。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光装置において、第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層上のストライプ形状を有する第2導電型のコンタクト層と、上記コンタクト層の両側の部分に設けられた電流狭窄層とを有し、上記電流狭窄層の少なくとも一部が電気的にほぼ絶縁性の窒化物系III-V族化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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