窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996053428
Publication number (International publication number)：1997246651
Application date： Mar. 11, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を下げて室温での連続発振を目指す。【構成】基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有する第1のp型クラッド層とを有し、その第1のp型クラッド層のストライプ側面に、活性層および第1のp型クラッド層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる埋め込み層が形成されているので、実効屈折率導波型のレーザ素子ができるため、閾値電流が下がり、さらに単一モードのレーザ光が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有する第1のp型クラッド層とを有し、その第1のp型クラッド層のストライプ側面に、活性層および第1のp型クラッド層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる埋め込み層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025068 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-089856 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041583 Applicant：株式会社日立製作所

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