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J-GLOBAL ID：200903055635540693

半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999291339
Publication number (International publication number)：2000196101
Application date： Oct. 13, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、低温で成膜でき、生産性の優れた方法を用いて非晶質半導体膜を形成することにより、安全性の高いプロセスを提供することを目的とする。【解決手段】 上記目的を解決するため、本発明は、スパッタリング法により半導体膜を形成し、次いで連続的に絶縁膜を形成した後、絶縁膜を介して結晶化を行い、結晶性半導体膜を形成することを特徴としている。この様な構成により安全な作業環境のプロセスで良好なTFTの電気特性を実現する。
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に、活性層と、前記活性層に接する絶縁膜とを有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置であって、前記活性層は、スパッタ法により形成された半導体膜を前記絶縁膜が接した状態で結晶化した膜からなることを特徴とする半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (5)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 29/78 618 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164381   Applicant：シャープ株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-350708   Applicant：ソニー株式会社
  • 有機アクティブEL発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-357028   Applicant：出光興産株式会社
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