半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350708
Publication number (International publication number)：1998189991
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】低温プロセスにおけるボトムゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル領域の非晶質シリコン膜の上に選択的に反射防止膜を設けるに際し、レーザーアニール時に、反射防止膜の下の非晶質シリコン膜にガス抜けによる穴が形成されることを防止する。【解決手段】非晶質シリコン膜5及び反射防止膜6を、夫々、ガスの混入が少ない電子ビーム蒸着法やヘリウムスパッタ法で成膜する。反射防止膜6をゲート電極2に自己整合的にパターニングした後、全面にパルスレーザー8を照射して、非晶質シリコン膜5の結晶化を行う。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、薄膜トランジスタのゲート電極となる金属膜をパターン形成する工程と、前記金属膜の上に、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に、蒸着法又は不活性ガスによるスパッタ法で、非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜の上に、蒸着法又は不活性ガスによるスパッタ法で、透明膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 617 N , H01L 21/20 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030826 Applicant：カシオ計算機株式会社
薄膜の製造方法および薄膜素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120510 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-130734

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