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J-GLOBAL ID：200903055683084535

半導体集積回路およびその作製方法

Inventor： 張 宏勇 ,  坂倉 真之
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997221022
Publication number (International publication number)：1999054761
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 同一基板上に高速動作TFTと高耐圧TFTとを集積化する。【解決手段】 ボトムゲイト型TFT200のゲイト電極201と基板100表面を覆って、ボトムゲイト用ゲイト絶縁膜110が設けられる。このゲイト絶縁膜110はボトムゲイト型TFT200のゲイト絶縁膜として機能すると共に、トップゲイト型TFT300、350の下地膜としても機能する。半導体層202、302、303上にはトップゲイト用絶縁膜が形成される。ゲイト絶縁膜110を厚くし、ゲイト絶縁膜120を薄くすることで、ボトムゲイト型TFT200を高耐圧型とし、トップゲイト型TFT300、350を高速動作型とすることができる。

Claim (excerpt)：

同一の基板上に、トップゲイト型の薄膜トランジスタと、ボトムゲイト型の薄膜トランジスタとを有する半導体集積回路であって、前記基板を覆う第1の絶縁膜と、前記基板と前記第1の絶縁膜の間に形成された前記ボトムゲイト型薄膜トランジスタのゲイト電極と、前記第1の絶縁膜上に形成された前記トップゲイト型薄膜トランジスタの半導体層と、前記ボトムゲイト型薄膜トランジスタの半導体層と、前記トップゲイト型薄膜トランジスタの前記半導体層の少なくともチャネル形成領域を覆う第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された前記トップゲイト型薄膜トランジスタのゲイト電極とを有し、前記第1の絶縁膜を前記ボトムゲイト型薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜に用い、前記第2の絶縁膜を前記トップゲイト型薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜に用いることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (5)：

H01L 29/78 617 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 619 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-323579   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079000   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-180950   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所