トランジスタの評価方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000930
Publication number (International publication number)：2001196434
Application date： Jan. 06, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】多結晶薄膜トランジスタの評価方法として、界面欠陥および粒界欠陥を抽出する方法を、提供する。【解決手段】容量-電圧測定を準静的に行い、ポアソン方程式とキャリア密度方程式を用いて、界面欠陥を抽出する。容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。

Claim (excerpt)：

半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に存在するゲート絶縁膜と、前記半導体層の両側に存在するソース領域およびドレイン領域を備えた、トランジスタの評価方法で、前記ゲート電極と、前記ソース領域および前記ドレイン領域を接続した電極との間の、容量-電圧特性を測定し、前記容量-電圧特性のみから、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜の界面欠陥を抽出することを特徴とする、トランジスタの評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01R 31/26 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/66 N , H01L 21/66 L , G01R 31/26 B , H01L 29/78 624

F-Term (23)：

2G003AA01 , 2G003AB01 , 2G003AB07 , 2G003AE01 , 2G003AF06 , 4M106AB01 , 4M106BA14 , 4M106CA12 , 4M106CB10 , 4M106CB30 , 4M106DJ12 , 5F110AA24 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

MOSFETの特性評価方法及び特性評価装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-172343 Applicant：株式会社東芝
特開平4-082246
特開平4-315969

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