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J-GLOBAL ID：200903055716485719

低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法

Inventor： 仁道 正明 ,  碓井 彰 ,  望月 康則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007298
Publication number (International publication number)：1997199758
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶成長後の熱処理などの工程を用いずに、量産性に優れた気相成長方法を得ること。【解決手段】 結晶成長終了直後の前記基板結晶の温度が摂氏700度以上であり、かつ結晶成長終了後の前記基板結晶の摂氏700度以下での冷却を、水素を含まないキャリアガスの雰囲気中で行う。

Claim (excerpt)：

水素、窒素等のキャリアガス中に、III 属元素化合物の原料ガスと窒素化合物の原料ガスとp型ドーパントガスとを希釈して加熱した基板結晶上に、p型窒化ガリウム系化合物半導体を形成する工程を含む気相成長方法において、結晶成長終了直後の前記基板結晶の温度が摂氏700度以上であり、かつ結晶成長終了後の前記基板結晶の摂氏700度以下での冷却を、前記水素を除いたキャリアガスの雰囲気中で行うことを特徴とする低抵抗p型窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-043581   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-327259   Applicant：株式会社東芝