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J-GLOBAL ID：200903055755954238

半導体装置、その製造方法およびパッケージ用基板

Inventor：
松本 美幸

About 松本 美幸


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998182220
Publication number (International publication number)：2000022027
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 BGAにおいてハンダボールの密着性が加熱工程で低下する。【解決手段】 パッケージ用基板22の裏面に設けた外部端子体、または半導体チップとパッケージ用基板22間の内部結線用の端子体として、配線層16上のランド部26に表面が球状の端子体18を固着させてなる半導体装置である。このランド部26が、配線層16上のニッケル層28と端子体18に接する金層32とを有し、両者間に、例えばPd又はPd合金からなり、Niが金層32内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層30が介在している。拡散阻止層30によりNiの上層拡散が阻止され、これによりランド部26表面が酸化されにくくなる一方で、金層32をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばAu-Sn合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。
Claim (excerpt)：
半導体チップと、当該半導体チップが固定されたパッケージ用基板と、当該パッケージ用基板に形成され、前記半導体チップの表面に設けられた電極パッドまたは前記半導体チップの裏面に電気的に接続された配線層と、当該配線層上に形成されたランド部と、当該ランド部上に固着された表面が球状の端子体とを備え、前記ランド部が、前記配線層の部分上に形成されたニッケル層と、前記端子体に接する金層とを有する半導体装置であって、前記ニッケル層と前記金層との層間に、前記ニッケル層内のニッケルが前記金層内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層が介在している半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (3)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 D
F-Term (4)：
4M105AA13 ,  4M105AA16 ,  4M105FF05 ,  4M105FF06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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