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J-GLOBAL ID：200903055766545321

化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 岡崎 治彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997146626
Publication number (International publication number)：1998056206
Application date： Jun. 04, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 歩留まり及び信頼性の向上を図ることができ、さらに、量産性の優れた化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層5と、半導体層5の少なくとも一部の上部に形成された透光性の第1の電極7と、第1の電極7の上部に形成された誘電体膜15とからなる電極部を少なくとも具備するように構成される。

Claim (excerpt)：

p型窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層と、該半導体層の少なくとも一部の上部に形成された透光性の第1の電極と、該第1の電極の上部に形成された誘電体膜とからなる電極部を少なくとも具備することを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-098621   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-259702   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社