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J-GLOBAL ID:200903055783779689
シリコン単結晶の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
正林 真之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998330714
Publication number (International publication number):2000159595
Application date: Nov. 20, 1998
Publication date: Jun. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 チュクラルスキー法により生産されるシリコン単結晶ウェーハに対して広い無欠陥領域を安定して付与することができる方法を提供する。【解決手段】チュクラルスキー法によりシリコン単結晶バルクを製造する方法において、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Gの結晶の外側面と結晶中心での値の比であるG outer/G centerを1.10から1.50の間とする。
Claim (excerpt):
チュクラルスキー法によりシリコン単結晶バルクを製造する方法であって、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Gの結晶の外側面と結晶中心での値の比であるG outer/G centerを1.10から1.50の間とすることを特徴とするシリコン単結晶バルクの製造方法。
IPC (2):
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
FI (2):
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
F-Term (7):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077PF51
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-158458
Applicant:住友シチックス株式会社
-
単結晶シリコン育成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-100173
Applicant:住友シチックス株式会社
-
シリコン単結晶ウェーハの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-318704
Applicant:住友シチックス株式会社
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