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J-GLOBAL ID：200903055822801689

半導体装置

Inventor： 熊沢 鉄雄 ,  三浦 英生 ,  北野 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106842
Publication number (International publication number)：1997293837
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】樹脂モールドを行ってもセルを拘束せずに変形をさせ、メモリ動作を確保する。【解決手段】シリコンウエハ上に誘電体薄膜を形成して多数のキャパシターセルを形作り、薄膜下部から一方の電極,上部から他方の電極を取り出す素子構造において、セルの回りに溝を形成し、上記溝を埋めないで保持した構造、上記溝と上記セルの上部に保護膜を付けた状態でも上記溝が充填されないで溝形状を保持した。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハ上に誘電体薄膜を形成して多数のキャパシターセルを形作り、薄膜下部から一方の電極,上部から他方の電極を取り出す素子構造において、セルの回りに溝を形成し、上記溝を埋めないで保持した構造,上記溝と上記セルの上部に保護膜を付けた状態でも上記溝が充填されないで溝形状を保持した構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/10 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 27/10 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 27/10 651