半導体薄膜およびその製造方法並びに磁電変換素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995314153
Publication number (International publication number)：1997153460
Application date： Dec. 01, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】単結晶と同等のキャリヤ移動度を有するInSb薄膜を、容易に且つ安価に直接基板上に均一に形成することにより、広い温度範囲にわたり十分な信頼性をもって適用でき、且つ電気特性ばらつきの小さい半導体薄膜およびその製造方法並びに磁電変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】 Siの結晶からなる基板の表層を除去する工程と、この表層が除去された基板をフッ化水素とフッ化アンモニウムとを含む水溶液に浸漬する工程と、この基板上にAl、Ga、Inから選ばれた少なくとも1つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともInとSbとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともInとSbとを含む半導体薄膜を前記予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有する。

Claim (excerpt)：

シリコンの結晶からなる基板の表層を除去する工程と、この表層が除去された前記基板をフッ化水素とフッ化アンモニウムとを含む水溶液に浸漬する工程と、この基板上にアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれた少なくとも1つからなる下地層を形成する工程と、この下地層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む予備堆積層を形成する工程と、この予備堆積層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む半導体薄膜を前記予備堆積層の形成開始温度より高い温度で形成する工程を有する半導体薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/203 , C23G 1/02 , G01R 33/09 , G01R 33/07 , H01L 21/306 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (7)：

H01L 21/203 Z , C23G 1/02 , H01L 43/08 S , H01L 43/12 , G01R 33/06 R , G01R 33/06 H , H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体薄膜の製造方法および磁電変換素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-104125 Applicant：松下電器産業株式会社
シリコンウェーハおよびその表面平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-259291 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社

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