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J-GLOBAL ID：200903055867202760

レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス

Inventor： 小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  佐藤 行雄 ,  井上 満夫 ,  笹川 智広 ,  宮坂 光敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999090439
Publication number (International publication number)：2000286195
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高移動度の薄膜トランジスタを実現するために、結晶性に優れた多結晶珪素膜を形成するレーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置を提供する。【解決手段】 波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを、幅方向に3mJ/cm2/μm以上のエネルギー密度勾配を有する線状ビームに成形して照射、珪素膜のレーザ熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを、幅方向に3mJ/cm2/μm以上のエネルギー密度勾配を有する線状ビームに成形して、基板上に形成された基板上膜材料に照射することを特徴とするレーザ熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (26)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB03 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA05 ,  5F052FA07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-307727
  
• 半導体薄膜およびその製造方法および薄膜半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-234368   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-168098   Applicant：ソニー株式会社
• 多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066010   Applicant：三洋電機株式会社