半導体薄膜およびその製造方法および薄膜半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234368
Publication number (International publication number)：1999074198
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】表面ラフネスを低減でき、高品質な半導体薄膜およびその製造方法を提供し、上記半導体薄膜を素子材料として、高性能でかつ信頼性,安定性が高く、複数の素子間の特性の均一性が高い薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に膜中水素濃度が1×1020atoms/cm3以下の非晶質または微結晶状態のケイ素膜を形成し、そのケイ素膜にエネルギービームを照射することによってケイ素膜を結晶化させる。

Claim (excerpt)：

膜中水素濃度が1×1020atoms/cm3以下の非晶質または微結晶状態のケイ素膜にエネルギービームを照射することによって結晶化させたケイ素膜であることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/12 R , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多結晶半導体膜およびこれを用いた薄膜トランジスタ並びに多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-092260 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-294607 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-311038

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