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J-GLOBAL ID:200903055874637232
エピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法並びにSiC電子デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
高橋 祥泰 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002080295
Publication number (International publication number):2003277193
Application date: Mar. 22, 2002
Publication date: Oct. 02, 2003
Summary:
【要約】【課題】 SiCウエハ及びエピタキシャル膜中に欠陥及び転位をほとんど含有しないエピタキシャル膜付きSiCウエハ及びその製造方法,並びにオン抵抗が低く,逆方向リーク電流の発生がほとんどないSiC電子デバイスを提供すること。【解決手段】 第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度20°以下の面,または{11-20}面からオフッセット角度20°以下の面を第1成長面として第1成長結晶を作製し,連続成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面として第n成長結晶を作製し,上記成膜工程においては,n=Nである第N成長結晶から成膜面35を露出させたSiCウエハ3を作製し,該成膜面35上にエピタキシャル膜30を成膜する。
Claim (excerpt):
SiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させてバルク状のSiC単結晶を製造し,該SiC単結晶からSiCウエハを作製して該SiCウエハの成膜面上にエピタキシャル膜を成膜しエピタキシャル膜付きSiCウエハを製造する方法において,該製造方法は,N回(Nは,N≧2の自然数)の成長工程と,該成長工程後にエピタキシャル膜を成膜する成膜工程とを含み,上記成長工程における各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合,n=1である第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度20°以下の面,または{11-20}面からオフッセット角度20°以下の面を第1成長面として露出させた第1種結晶を用いて,上記第1成長面上にSiC単結晶を成長させ第1成長結晶を作製し,n=2,3,...,N回目である連続成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面とした第n種結晶を第(n-1)成長結晶より作製し,該第n種結晶の上記第n成長面上にSiC単結晶を成長させて第n成長結晶を作製し,上記成膜工程においては,n=Nである第N成長結晶から成膜面を露出させたSiCウエハを作製し,該SiCウエハの上記成膜面上にエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜付きSiCウエハの製造方法。
F-Term (11):
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EA02
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077FG11
, 4G077HA06
, 4G077HA12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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炭化珪素半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-326933
Applicant:株式会社デンソー
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SiC単結晶の育成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-356074
Applicant:住友金属鉱山株式会社
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SiC単結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-286956
Applicant:新日本製鐵株式会社
Cited by examiner (1)
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炭化珪素半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-326933
Applicant:株式会社デンソー
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