Pat

J-GLOBAL ID：200903055880542286

面発光半導体レーザ

Inventor： 大礒 義孝 ,  ▲舘▼野 功太 ,  小濱 剛孝 ,  テリー セール ,  黒川 隆志
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995320034
Publication number (International publication number)：1997162482
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低閾値電流、発光の高効率化を図った面発光半導体レーザを提供することを課題とする。【解決手段】 GaAs基板1上に第一光反射鏡としてAlGaAs/GaAsを積層したn型反射鏡3と、格子定数がGaAsに比べて大きく圧縮歪み層を有しInGaAlAs/AlGaAsMQW活性層8と、AlAs/AlGaAs/GaAsp型反射鏡2をエピタキシャル成長して構成され、発振波長が0.8 μm帯である。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に第一光反射鏡として光学波長1/4の膜厚で交互にAlX1Ga1-X1AsとAlX2Ga1-X2As(0≦x1,x2 ≦1)を積層した半導体多層膜と、格子定数がGaAsに比べて大きいAlX3Ga1-X3As/InX4Ga1-X5Al1-X4-X5 As層(0≦x3,x4,x5≦1)、若しくはInX6Ga1-X6Asy1P1-y1/InX7Ga1-X7Asy2P1-y2層(0≦x6,x7,y1,y2 ≦1)で活性層の井戸層が圧縮歪みからなるMQW活性層と、光学波長の1/4の膜厚で交互にAlX8Ga1-X8AsとAlX9Ga1-X9As層(0≦x8,x9 ≦1)をエピタキシャル成長して構成され、発振波長が0.8 μm帯であることを特徴とする面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349156   Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 量子井戸型レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-320391   Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 歪量子井戸レーザーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-069569   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-003384