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J-GLOBAL ID：200903055880584523

リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法

Inventor：
バートストラ,ブライアン・エイ

About バートストラ,ブライアン・エイ


Applicant, Patent owner：
マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド

About マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド


Agent (6)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  細川 伸哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006518759
Publication number (International publication number)：2007521658
Application date： Jun. 30, 2004
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：
本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)3であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)3OHである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
堆積チャンバー内で基板の位置決めを行い;そしてリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積させるために有効な条件下で該チャンバー中で第1及び第2気相反応物であって、該第1及び第2気相反応物の一つがRがヒドロカルビルであるPO(OR)3であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物がRがヒドロカルビルであるSi(OR)3OHである反応物を交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該基板へ導入することを含有する、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (2)：
H01L21/316 C ,  C23C16/42
F-Term (23)：
4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA26 ,  4K030BA42 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF33 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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