二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外10名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001542604
Publication number (International publication number)：2003515674
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： May. 07, 2003
Summary：

【要約】酸化ケイ素を含む薄膜を成長基板の上に原子層化学蒸着法によって生成させる方法。この方法では、気化可能なケイ素化合物をその成長基板に付着させ、そして付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させる。本発明は、少なくとも1つの有機配位子を含むケイ素化合物を使うこと、および付着したケイ素化合物を気化した反応性酸素源、特にオゾンと接触させて二酸化ケイ素に転換させることを包含している。本発明は、十分短い反応時間でSiO2を含む薄膜を制御しながら成長させるための制御された方法を提供する。

Claim (excerpt)：

原子層化学蒸着法を使用することによって、基板に二酸化ケイ素を含む薄い膜を生成させる方法であって、 -気化可能なケイ素化合物を成長基板に付着させ、 -その付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させる方法において、 -少なくとも1つの有機配位子を含むケイ素化合物を使用すること、および -酸素の気化した反応源と接触させることによって、その付着したケイ素化合物を二酸化ケイ素に転換させることの組合せを特徴とする方法。

IPC (2)：

C23C 16/42 , H01L 21/316

FI (2)：

C23C 16/42 , H01L 21/316 X

F-Term (21)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5F058BA06 , 5F058BC02 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF80 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-082769
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-198369 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104098 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SiO2 USING CATALYZED AND UNCATALYZED SELF-LIMITING SURFACE REACTIONS

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