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J-GLOBAL ID：200903069954698853

高温処理チャンバ用リッドアセンブリ

Inventor： ジョナサン フランケル ,  インナ シュムルン ,  ヴィスウェスワレン シヴァラマクリシュナン ,  ユージーン フクシャンスキ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997312032
Publication number (International publication number)：1998172964
Application date： Nov. 13, 1997
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積、加熱及び効率のよい洗浄のシステム、方法及び装置の提供。【解決手段】 約100〜760torrの圧力のチャンバ内でシリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも500°Cの温度のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程;及び前記ドーパント原子を前記基板内に拡散させるために前記ドープ酸化シリコン膜を加熱して前記超薄ドープ領域を形成する工程を含むチャンバ内で基板の超薄ドープ領域を形成する方法を用いる。

Claim (excerpt)：

下記の成分を含む、処理チャンバを収容する封入部分を有するタイプの蒸着装置用リッドアセンブリ。1種以上のガスを入れるガス導入口を有するベースプレート;ガスを該チャンバへ分散させるガス導入口へ流動的に連結された複数のガス分配孔を含むガス分配プレート;及びガスの少なくとも一部が該チャンバへの該ガス分配孔をバイパスすることを可能にする該ガス分配孔より小さい流体流動に対する耐性を与える、該ガス導入口及び該処理チャンバに連結されたバイパス通路。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-315103   Applicant：富士通株式会社
• 処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296148   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 成膜処理装置及び成膜処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-079954   Applicant：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社