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J-GLOBAL ID：200903055897082661

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999237200
Publication number (International publication number)：2001064097
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】 窒素ガスが充填されている第1のガス供給装置120の第1のシリンダー110内の窒素圧力(窒素原料圧力)が反応容器101内の圧力(窒素原料圧力)以上となっていることで、窒素ガスの圧力調整機構(107,108)を介して、反応容器101内の窒素原料圧力を所望の値に設定することが可能となる。このように、III族金属とフラックス(例えばNa)が十分ある状態で、窒素原料である窒素ガスの圧力が制御できることで、継続的なIII族窒化物結晶(GaN結晶)の成長が可能となり、III族窒化物結晶(GaN結晶)を所望の大きさに成長させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
反応容器内で、少なくともIII族金属を含む融液とフラックスと窒素原料とを用いてIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長装置であって、窒素原料として気体が用いられ、気体の窒素原料の圧力が制御可能となっており、気体の窒素原料を反応容器に供給するために第1のガス供給装置が設けられ、第1のガス供給装置は、気体の窒素原料を貯めておくための第1のシリンダーを備えており、該第1のガス供給装置の第1のシリンダー内の窒素原料圧力は、反応容器内の窒素原料圧力以上となっていることを特徴とする結晶成長装置。
F-Term (12)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CA09 ,  4G077CC10 ,  4G077EA04 ,  4G077EG20 ,  4G077EG21 ,  4G077EG29 ,  4G077HA02 ,  4G077LA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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