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J-GLOBAL ID:200903082056434730
化学的気相成長装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997280884
Publication number (International publication number):1999117070
Application date: Oct. 14, 1997
Publication date: Apr. 27, 1999
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、成膜時間の短縮及び原料の節約を達成することを目的とする。【解決手段】 化学的蒸気を輸送する輸送管途上に配設され、入口バルブ17a、17b、17cの閉口時には対応する原料蒸気発生器16a、16b、16cで発生した化学的蒸気を一時的に貯蔵、入口バルブ17a、17b、17cの開口時には当該原料蒸気発生器16a、16b、16cで発生した化学的蒸気とともに一時的に貯蔵した化学的蒸気を反応器10に送出する原料蒸気貯蔵容器18a、18b、18cを有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
種類の異なる化学的蒸気を複数の原料蒸気発生器でそれぞれ発生させ、該発生させた化学的蒸気を輸送管で輸送し、入口バルブを間欠的に開閉動作させて複数の前記化学的蒸気の少なくとも1種を反応器に周期的に導入し、該反応器に内置した加熱基板に薄膜を成膜する化学的気相成長装置において、前記輸送管途上に配設され、前記入口バルブの閉口時には対応する前記原料蒸気発生器で発生した化学的蒸気を一時的に貯蔵し、前記入口バルブの開口時には当該原料蒸気発生器で発生した化学的蒸気とともに前記一時的に貯蔵した化学的蒸気を前記反応器に送出する原料蒸気貯蔵容器を有することを特徴とする化学的気相成長装置。
IPC (2):
FI (3):
C23C 16/44 C
, C23C 16/44 D
, C30B 25/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-228541
Applicant:垂井康夫, シャープ株式会社, 日産自動車株式会社
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半導体装置用誘電体の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-294797
Applicant:株式会社日立製作所
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パルスプラズマCVDによる成膜方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-340403
Applicant:神港精機株式会社
-
パルスプラズマCVDによる成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-335109
Applicant:神港精機株式会社
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金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-237054
Applicant:株式会社東芝
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薄膜形成法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-155740
Applicant:三菱電機株式会社
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薄膜形成法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-030608
Applicant:三菱電機株式会社
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