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J-GLOBAL ID：200903055967914210

電力用半導体回路装置

Inventor：
小山 建夫

About 小山 建夫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001282303
Publication number (International publication number)：2003088095
Application date： Sep. 17, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ほぼリアルタイムで電流変化を検出して電流バランス、電圧バランスを良好に維持する電力用半導体回路装置を提供する。【解決手段】 電力用半導体回路装置は、電圧駆動型素子(54)と、素子のエミッタ側に挿入されて素子電流の時間変化をトロイダルコイルにより検出する電流検出器(55)と、電流検出器の出力に接続され、電流検出器出力を処理して素子電流の時間変化に応じた制御信号を生成する信号処理回路(15)と、素子のゲート近傍に位置して、前記制御信号に応じてON/OFF制御されるスイッチ(58、59)を備える。
Claim (excerpt)：
素子と、前記素子のエミッタ側に挿入され、素子電流の時間変化をトロイダルコイルにより検出する電流検出器と、前記電流検出器の出力に接続され、前記電流検出器の出力を処理して、前記素子電流の時間変化に応じた制御信号を生成する信号処理回路と、前記制御信号に応じて前記素子のゲート電圧を調節するスイッチとを含む電力用半導体回路装置。
IPC (2)：
H02M 1/00 ,  H02M 1/08 351
FI (2)：
H02M 1/00 M ,  H02M 1/08 351 A
F-Term (7)：
5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BA15 ,  5H740BB02 ,  5H740MM11 ,  5H740PP03 ,  5H740PP10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • パワー半導体モジュール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-344360   Applicant：三菱電機株式会社
  • ロゴスキーコイル
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-276230   Applicant：三菱電機株式会社
  • スイッチングレギュレータ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-281332   Applicant：東洋通信機株式会社
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