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J-GLOBAL ID：200903055993704681

積層薄膜その製造方法および電子デバイス

Inventor： 野口 隆男 ,  矢野 義彦 ,  斉藤 久俊 ,  阿部 秀典
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000128230
Publication number (International publication number)：2001313429
Application date： Apr. 27, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Si基板上で、より一層特性に優れた強誘電体薄膜を含む積層薄膜、その製造方法、およびその積層薄膜を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】 Si基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物薄膜を含むバッファ層を有し、前記バッファ層上に(100)または(001)配向のペロブスカイト型酸化物薄膜を有し、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜上にエピタキシャル成長した強誘電体薄膜を有する構成の積層薄膜およびその製造方法、電子デバイスとした。

Claim (excerpt)：

Si基板上にエピタキシャル成長した積層薄膜で、酸化物薄膜を含むバッファ層を有し、前記バッファ層上に(100)または(001)配向のペロブスカイト型酸化物薄膜を有し、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜上にエピタキシャル成長した強誘電体薄膜を有する積層薄膜。

IPC (6)：

H01L 41/24 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18

FI (6)：

C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/363 ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 Z

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077DA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD27 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 積層薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-103826   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 配向性強誘電体薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-358050   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 電子デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104146   Applicant：三菱電機株式会社
• 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-217884   Applicant：ティーディーケイ株式会社