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J-GLOBAL ID：200903010444725584

積層薄膜およびその製造方法

Inventor：
矢野 義彦

About 矢野 義彦

, 
野口 隆男

About 野口 隆男


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997103826
Publication number (International publication number)：1998287493
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】 Si単結晶基板上に強誘電体薄膜、特にPbTiO3強誘電体薄膜を形成するに際し、自発分極値の低下を防ぐ。【解決手段】 Si単結晶基板上に形成された積層薄膜であり、絶縁性中間薄膜と、この絶縁性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜がペロブスカイト構造を有するエピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜の厚さが0.3〜5nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さが2〜50nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さを前記絶縁性中間薄膜の厚さで除した値が1.5〜50である積層薄膜。
Claim (excerpt)：
Si単結晶基板上に形成された積層薄膜であり、絶縁性中間薄膜と、この絶縁性中間薄膜を介して積層された強誘電体薄膜とから構成され、前記強誘電体薄膜がペロブスカイト構造を有する(001)配向エピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜がペロブスカイト構造を有するエピタキシャル膜であり、前記絶縁性中間薄膜の厚さが0.3〜5nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さが2〜50nmであり、前記強誘電体薄膜の厚さを前記絶縁性中間薄膜の厚さで除した値が1.5〜50である積層薄膜。
IPC (5)：
C30B 29/32 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (5)：
C30B 29/32 A ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 39/24 ZAA D ,  H01L 31/08 N
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (9)
  • 薄膜材料
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-247774   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 誘電体薄膜構造物
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-321534   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平4-062715
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