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J-GLOBAL ID：200903056005530610

窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置

Inventor：
楠瀬 健

About 楠瀬 健

, 
三賀 大輔

About 三賀 大輔


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003149138
Publication number (International publication number)：2004056109
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はn側の電極をライン状に形成するためにn型層表面が露出された互いに平行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、p型層のほぼ全面に透光性電極が形成されており、nライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、透光性電極上には、nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電極が形成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はn側の電極をライン状に形成するために上記n型層表面が露出された互いに平行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、上記p型層のほぼ全面に透光性電極が形成された窒化物半導体発光素子において、 上記nライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、 上記透光性電極上には、上記nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電極が形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (6)：
H01L33/00 ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
FI (7)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
F-Term (55)：
4H001CA04 ,  4H001XA04 ,  4H001XA06 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA40 ,  4H001XA49 ,  4H001XA50 ,  4H001XA56 ,  4H001XA57 ,  4H001XA58 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA71 ,  4H001XA72 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA63 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041AA23 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA74 ,  5F041DB09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • III族窒化物系化合物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-101990   Applicant：豊田合成株式会社
  • LED装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-124556   Applicant：松下電工株式会社

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