LED装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001124556
Publication number (International publication number)：2002319705
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光面の輝度の均一化と内部量子効率の向上を図り、更にLEDチップからの光取り出し効率を向上させたLED装置を提供することにある。【解決手段】p側電極7、n側電極6はLEDチップ1の半導体層形成側チップ面内において交互に略等間隔に配列した並行な直線部を有した電極6,7で並行電極部を構成し、同じ半導体層側に属する電極6,6同士及び7,7同士は、LEDチップ1上に設けた導電部13,14によりそれぞれ電気的に接続され、LEDチップ1上の対向する1組の隅部に位置する電極6,7の端部に形成した給電部15,16により給電するされるようになっており、各電極6,7及び給電部15,16を例えばAl蒸着により形成している。そして幅広な電極6,7を形成することで各電極6,7が半導体層形成側チップ面から放射される光の光反射部として機能することになる。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に形成されたp形半導体層とn形半導体層の各々に接続する電極を半導体層側のチップ面に設け、フェースダウンの状態で実装基板に対して実装される1つのLEDチップの発光面全体を略均一に点灯させるように発光部位が形成されるようにp側電極及びn側電極を形成配置するとともに、上記チップ面若しくは実装状態のLEDチップに近接する領域に、発光による光を光取り出し方向に反射する光反射部を設けたことを特徴とするLED装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 23/48

FI (4)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 33/00 N , H01L 23/48 Y

F-Term (16)：

5F041AA03 , 5F041AA05 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA93 , 5F041CA94 , 5F041DA02 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19 , 5F041DA35 , 5F041DA36 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194224 Applicant：ローム株式会社
発光デバイスのための電極構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-331422 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
フリップチップ型光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-141873 Applicant：日亜化学工業株式会社

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