化合物半導体装置およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：薄田利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995001424
Publication number (International publication number)：1996191055
Application date： Jan. 09, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体に対して、良好なオーミック特性とショットキー特性を有する電極を有する化合物半導体装置を提供する。【構成】化合物半導体基板上に積層された5層構造の電極を具備し、第1の高融点金属層と第3の高融点金属層の間に、当該第3の高融点金属層を構成する成分の、上記化合物半導体への拡散を防止し得る第2の高融点金属層を介在させる。【効果】化合物半導体に対して良好なオーミック特性およびショットキ特性を有する電極が容易に得られる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に順次積層して形成された、上記化合物半導体基板とオーミック接続する所定の形状を有する第1の高融点金属層、第2の高融点金属層、第3の高融点金属層、第4の高融点金属層および低抵抗導電体層からなる電極を具備し、上記第2の高融点金属層は、上記第3の高融点金属層を構成する成分の上記半導体基板への拡散を防止する機能を有していることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 , H01L 29/872 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3)：

H01L 29/48 M , H01L 29/48 H , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-021530 Applicant：株式会社神戸製鋼所
特開平2-196467
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-257084 Applicant：日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (11)

半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-021530 Applicant：株式会社神戸製鋼所
特開平2-196467
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