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J-GLOBAL ID:200903056156976564

光半導体用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999087834
Publication number (International publication number):2000281868
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Oct. 10, 2000
Summary:
【要約】【課題】 耐熱性、連続通電特性に優れた発光ダイオード装置用半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】(A)全エポキシ樹脂中に75重量%以上の一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノールアラルキル樹脂、(C)硬化促進剤を必須成分とする樹脂組成物において、予め(A)一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂と(B)一般式(2)で示されるフェノールアラルキル樹脂が溶融混合されていることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(R1は、水素、メチル基、エチル基から選択され、同一でも異なっていてもよい。nは0〜2の整数)【化2】(R2はフェニレン基、ジフェニレン基、ジフェニレンエーテル基、ジフェニレンメタン基、又はそれらの基に置換基とし炭素数1〜5のアルキル基のついたもの、lは0、又は1〜3の整数で、R3は炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜10の整数)
Claim (excerpt):
(A)全エポキシ樹脂中に75重量%以上の一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノールアラルキル樹脂、(C)硬化促進剤を必須成分とする樹脂組成物において、予め(A)一般式(1)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂と(B)一般式(2)で示されるフェノールアラルキル樹脂が溶融混合されていることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(R1は、水素、メチル基、エチル基から選択され、同一でも異なっていてもよい。nは0〜2整数)【化2】(R2はフェニレン基、ジフェニレン基、ジフェニレンエーテル基、ジフェニレンメタン基、又はそれらの基に置換基とし炭素数1〜5のアルキル基のついたもの、lは0、又は1〜3の整数で、R3は炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜10の整数)
IPC (5):
C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00
FI (4):
C08L 63/00 B ,  C08G 59/24 ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/30 F
F-Term (32):
4J002CC03X ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002EN026 ,  4J002EU096 ,  4J002EU116 ,  4J002EW016 ,  4J002FD14X ,  4J002FD156 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J036AD01 ,  4J036AD04 ,  4J036DA02 ,  4J036FB08 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EA06 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05 ,  4M109EC09 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA31 ,  5F041DA46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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