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J-GLOBAL ID：200903056157520831

半導体膜及びその製造方法、並びに、該半導体膜を用いた受光素子、電子写真用感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置

Inventor： 八木 茂
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006127822
Publication number (International publication number)：2007300001
Application date： May. 01, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜を提供すること。【解決手段】基材上に形成され、13族元素と窒素と15原子%以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基材上に形成され、13族元素と窒素と15原子%以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  G03G 5/147 ,  G03G 5/06 ,  H01L 31/026

FI (4)：

H01L21/205 ,  G03G5/147 501 ,  G03G5/06 ,  H01L31/08 M

F-Term (30)：

2H068AA02 ,  2H068AA21 ,  2H068CA60 ,  2H068EA24 ,  2H068FA01 ,  2H068FA27 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045CA13 ,  5F045CA16 ,  5F045DA68 ,  5F045EF05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EH15 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AB01 ,  5F088BA10 ,  5F088BA11 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 特開平10-0455404号公報
  
• 電子写真感光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-125616   Applicant：京セラ株式会社, 京セラミタ株式会社
• 特開2-110470号公報
  
• 堆積膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-208410   Applicant：キヤノン株式会社
• 非単結晶光半導体およびその製造方法ならびに電子写真感光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-351818   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 電子写真感光体、および、それを用いた電子写真装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-215386   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平3-281779
  
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-258295   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (1)

• 特開平3-281779
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Effects of N2O Plasma Surface Treatment on the Electrical and Ohmic Contact Properties of n-Type GaN