プラズマCVD装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258295
Publication number (International publication number)：1998106958
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】高成長速度、高品質膜作製というMOCVDの特徴と、低環境コストというMBEの特徴をともに実現するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】成長チャンバー1には窒素プラズマソース、Gaソースのトリメチルガリウム(TMG)の供給ライン、真空ポンプとバルブ、真空計などとともに、加熱機構付の基板ホルダー7が設置されている。ここで、プラズマ条件として、1Torr程度の窒素圧力で十分なパワー(1kW以上)を供給することにより、熱プラズマが形成される。金属化学種の光分解を補助するためにMgOなどの窓を通してHeなどの希ガス放電管を照射することも有効である。

Claim (excerpt)：

窒素の熱プラズマあるいはこの状態に近い窒素プラズマを用い、前記窒素プラズマ形成時に発生する紫外光を利用して、金属ガスソースなどを分解するかあるいは表面でのマイグレイションを高めることにより、結晶性の向上と成長温度を低下させ、窒化物半導体を形成することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/50 , H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/50 , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

窒化ホウ素の気相合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343557 Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
半導体発光素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203219 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭63-229711

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Cited by examiner (8)

窒化ホウ素の気相合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343557 Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
半導体発光素子およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203219 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭63-229711

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