有機EL素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 阿部豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003342624
Publication number (International publication number)：2005108730
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】従来の有機EL素子、特に単層型有機EL素子と比較して、十分に高い発光効率を有し、しかも十分に長い駆動寿命を有する有機EL素子を提供する。【解決手段】上記課題を解決する有機EL素子10は、対向する電極2、5間に、下記式(1)で表される関係を示すエネルギーギャップを有する、ホスト材料と、そのホスト材料よりも少ない含有割合のドーパント材料とを含有する有機発光層4を備え、その有機発光層4において、電極2、5に対向する各面を含む各末端領域の少なくとも一方が低再結合領域になるように、低再結合領域で挟まれる中間領域が高再結合領域を含むように、ドーパント材料の含有割合に差異が設けられているものである。 Egh-Egd>0.01eV ...(1)(式中、Eghはホスト材料のエネルギーギャップを示し、Egdはドーパント材料のエネルギーギャップを示す。)【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対向する電極間に、下記式(1)で表される関係を示すエネルギーギャップを有する、ホスト材料と、そのホスト材料よりも少ない含有割合のドーパント材料と、を含有する有機発光層を備え、前記有機発光層において、前記ホスト材料が2種以上含有される場合、前記ホスト材料の総量に対する各ホスト材料の含有割合が厚さ方向にほぼ一定であり、前記電極に対向する各面を含む各末端領域の少なくとも一方が低再結合領域になるように、且つ、前記末端領域で挟まれる中間領域が高再結合領域を含むように、前記ドーパント材料の前記含有割合に差異が設けられていることを特徴とする有機EL素子。 Egh-Egd>0.01eV ...(1) (式中、Eghはホスト材料のエネルギーギャップを示し、Egdはドーパント材料のエネルギーギャップを示す。)

IPC (2)：

H05B33/14 , H05B33/10

FI (2)：

H05B33/14 B , H05B33/10

F-Term (8)：

3K007AB03 , 3K007AB06 , 3K007AB11 , 3K007AB14 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-399072 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
有機EL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-024444 Applicant：株式会社豊田自動織機
光学的素子の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-239548 Applicant：ソニー株式会社

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