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J-GLOBAL ID：200903056193325387

光ファイバ素子およびその製造方法

Inventor：
中村 元宣

About 中村 元宣

, 
嘉数 修

About 嘉数 修

, 
横田 大介

About 横田 大介


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000321687
Publication number (International publication number)：2002131558
Application date： Oct. 20, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 融着点における接続損失が更に小さい光ファイバ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 光ファイバ素子1は、融着点30で互いに融着接続された第1の光ファイバ10および第2の光ファイバ20を含んでいる。光ファイバ素子1は、融着接続前の第1の光ファイバ10のモードフィールド径D10と第2の光ファイバ20のモードフィールド径D20との差に応じて、融着接続後の第1の光ファイバ10のモードフィールド径分布D1(L)および第2の光ファイバ20のモードフィールド径分布D2(L)それぞれが適切に設定されていることにより、融着点30における接続損失が更に小さいものとなる。
Claim (excerpt)：
融着点で互いに融着接続された第1の光ファイバおよび第2の光ファイバを含む光ファイバ素子であって、前記第1の光ファイバの融着接続前の信号光波長におけるモードフィールド径を値D10とし、前記第2の光ファイバの融着接続前の前記信号光波長におけるモードフィールド径を値D20としたときに、前記値D10と前記値D20との差が2μm以上であり、前記融着点から距離L(単位mm)の位置における前記第1の光ファイバの前記信号光波長におけるモードフィールド径をD1(L)とし、前記融着点から距離L(単位mm)の位置における前記第2の光ファイバの前記信号光波長におけるモードフィールド径をD2(L)としたときに、D1(L)-D10≦0.1μm(ただし、L≧5)D2(L)-D20≦0.1μm(ただし、L≧5)(D1(0)-D1(2))/2≦1.5μm/mm(D2(0)-D2(2))/2≦1.5μm/mm(D1(0)-D1(3))/3≦2.5μm/mm(D2(0)-D2(3))/3≦2.5μm/mmなる関係式を満たす、ことを特徴とする光ファイバ素子。
IPC (3)：
G02B 6/10 ,  G02B 6/255 ,  G02B 6/26
FI (3)：
G02B 6/10 C ,  G02B 6/26 ,  G02B 6/24 301
F-Term (7)：
2H036MA12 ,  2H036MA17 ,  2H037BA31 ,  2H037CA02 ,  2H050AC03 ,  2H050AC76 ,  2H050AC83
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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