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J-GLOBAL ID：200903056254287343

方位配向硬磁性粒子分散膜の製造方法

Inventor： 弘津 禎彦 ,  佐藤 和久 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 大阪大学長
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001050627
Publication number (International publication number)：2002251720
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 硬磁性合金ナノ粒子を従来よりも低温で合成でき、かつ磁化容易軸を一方向に制御できる方法を提供する。【解決手段】 所定の結晶方位を有する単結晶基板(1)上に白金族元素を蒸着し白金族粒子を2次元的に分散させて種結晶(2)を形成する工程と、白金族種結晶(2)上に磁性元素(3)を蒸着する工程と、白金族種結晶(2)と磁性元素(3)が分散した単結晶基板(1)の全面に非磁性物質(4)を蒸着する工程と、熱処理により白金族種結晶(2)と磁性元素(3)を規則合金化する工程により、方位配向した硬磁性規則合金ナノ粒子分散膜を製造する。

Claim (excerpt)：

所定の結晶方位を有する単結晶基板上に白金族元素を蒸着し白金族粒子を2次元的に分散させて種結晶を形成する工程と、前記白金族種結晶上に磁性元素を蒸着する工程と、前記単結晶基板の全面に非磁性物質を蒸着する工程と、熱処理により前記白金族種結晶と前記磁性元素を規則合金化する工程とを具備したことを特徴とする方位配向硬磁性規則合金粒子分散膜の製造方法。

IPC (5)：

G11B 5/85 ,  G11B 5/65 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 546 ,  H01F 41/20

FI (5)：

G11B 5/85 A ,  G11B 5/65 ,  G11B 11/105 506 Z ,  G11B 11/105 546 B ,  H01F 41/20

F-Term (23)：

5D006BB01 ,  5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006EA03 ,  5D075FF20 ,  5D075GG01 ,  5D075GG02 ,  5D075GG16 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112BA02 ,  5D112BB02 ,  5D112BB06 ,  5D112BB07 ,  5D112FA02 ,  5D112GB01 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049HC01