半導体パワーモジュール

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006120028
Publication number (International publication number)：2007294626
Application date： Apr. 25, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】環境の問題で、Pbフリーはんだの使用が必須になった。パワーモジュールは大面積基板のはんだ付けであり、基板の反りを伴う大変形に対してクリープ変形し難いSn-3Ag-0.5Cu では、温度サイクル試験に対して、寿命低下が顕著に起きることが分かり、従来型モジュール構造では高信頼性の確保が困難な状況にある。そこでSn系はんだの中で、温度サイクル試験を行い、低歪速度下で寿命向上が期待できる組成の選定を行うことを課題とする。【解決手段】Sn系はんだにおいて、Inを3〜7%、Agを2〜4.5% 添加することで低歪速度において、クラック進展を遅延させる効果を見出し、高温でも安定な代表組成として、Sn-3Ag-0.5Cu-5In を選定した。更に、高信頼化のため、はんだ端部を樹脂で部分塗布する方法を示した。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ベース基板とセラミック絶縁基板及び半導体チップとがはんだで接続されてなる半導体パワーモジュールにおいて、前記セラミック絶縁基板とベース基板とのはんだ付けに、Ag:2〜4.5mass%, Cu:0〜2.0mass% ,In:3〜7mass%、残りがSnからなる鉛フリーはんだを用いたことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (2)：

H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (1)：

H01L25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第5520752号公報

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-321986 Applicant：三菱電機株式会社
混載実装構造体及び混載実装方法並びに電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-344937 Applicant：株式会社日立製作所
電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-013366 Applicant：三菱電機株式会社

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