Pat

J-GLOBAL ID：200903056285605718

半導体ナノ粒子及びその製造方法

Inventor： 鳥本 司 ,  桑畑 進 ,  大谷 文章 ,  柴山 環樹 ,  工藤 昭彦 ,  櫻岡 美和 ,  足立 知弘
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人 北海道大学 ,  学校法人東京理科大学
Agent (1)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2006317072
Publication number (International publication number)：WO2007026746
Application date： Aug. 30, 2006
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

本発明は、常温で発光する半導体ナノ粒子であって、亜鉛、周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするものであり、例えば、Zn(1-2x)InxAgxS(0<x≦0.5)で表される半導体ナノ粒子が挙げられる。

Claim (excerpt)：

亜鉛、周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とするか、又は周期表第11族元素及び周期表第13族元素を含む硫化物若しくは酸化物を主成分とし、常温で発光する半導体ナノ粒子。

IPC (2)：

C09K 11/62 ,  C09K 11/08

FI (2)：

C09K11/62 ,  C09K11/08 A

F-Term (14)：

4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XB12 ,  4H001XB31 ,  4H001YA29 ,  4H001YA31 ,  4H001YA47 ,  4H001YA49 ,  4H001YB12 ,  4H001YB31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-063131   Applicant：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
• ナノ粒子製造方法及びこの方法によって製造されたナノ粒子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-154977   Applicant：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社