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J-GLOBAL ID：200903069004477745

ナノ粒子製造方法及びこの方法によって製造されたナノ粒子

Inventor： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進 ,  鳥本 司
Applicant, Patent owner： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章 ,  関口 鶴彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003154977
Publication number (International publication number)：2004352594
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】サイズ選択光エッチング法により調製された単分散半導体ナノ粒子の品質のばらつきを抑制し、その光学特性を均一化する。【解決手段】ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のpHを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

サイズ選択光エッチング法を用いたナノ粒子の調製方法において、サイズ選択光エッチング反応時のpH値を制御することを特徴とするナノ粒子製造方法。

IPC (21)：

C01G11/02 ,  C01B19/04 ,  C01B21/06 ,  C01B25/08 ,  C01G9/02 ,  C01G9/08 ,  C01G11/00 ,  C01G21/21 ,  C01G41/00 ,  C01G45/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/54 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89

FI (23)：

C01G11/02 ,  C01B19/04 A ,  C01B19/04 C ,  C01B19/04 H ,  C01B21/06 N ,  C01B25/08 A ,  C01G9/02 A ,  C01G9/08 ,  C01G11/00 ,  C01G21/21 ,  C01G41/00 ,  C01G45/00 ,  C09K11/08 A ,  C09K11/54 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/68 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89

F-Term (37)：

4G047BA01 ,  4G047BA02 ,  4G047BB01 ,  4G047BB03 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD03 ,  4G048AA01 ,  4G048AA07 ,  4G048AB02 ,  4G048AB03 ,  4G048AB04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA25 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA51 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平4-193715
  
• 均一サイズの粒子の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-514293   Applicant：アイシス・イノベーション・リミテッド
• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-210902   Applicant：日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
• 内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体及びそれを構成要素とする構造体並びにこれらの調製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-052395   Applicant：科学技術振興事業団
• ナノ粒子複合体をコアとしたコア・シェル構造体及びそれを構成要素とする構造体並びにそれらとそれらから調製される構造体の調製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-096796   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 内部に制御された空隙を有するコア・シェル構造体を構成要素とする構造体及びその調製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-307140   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• ナノ結晶
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-555171   Applicant：バイオクリスタル・リミテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Characteristic Features of Size-Selective Photoetching of CdS Nanoparticles as a Means of Preparatio