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J-GLOBAL ID:200903056315657262

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994310643
Publication number (International publication number):1996167629
Application date: Dec. 14, 1994
Publication date: Jun. 25, 1996
Summary:
【要約】【目的】パッケージの剛性を保ちながら、微細なリードパターンが形成でき、コア基板を不要にして半導体装置全体を薄型化することができ、さらにコア基板の貫通スルーホールをなくすことによりリークの原因を除去して信頼性を向上させることができる、半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板を封止するための封止樹脂と、この封止樹脂の下面に転写されたリードパターンと、このリードパターンの下面に形成された複数の外部電極と、から半導体装置を構成する。
Claim (excerpt):
半導体基板を封止するための封止樹脂と、この封止樹脂の下面に転写されたリードパターンと、このリードパターンの下面に形成された複数の外部電極と、を含む半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14
FI (2):
H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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