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J-GLOBAL ID：200903056358016600

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
杉本 康宜

About 杉本 康宜


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181791
Publication number (International publication number)：1998027939
Application date： Jul. 11, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：
【要約】【目的】 劈開により窒化物半導体層の共振面を形成して、電極の剥がれのない信頼性の高いレーザ素子を提供する。【構成】 ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にあることにより、劈開時のブレークによる衝撃が電極端面に伝わらないため電極の剥がれがなくなる。
Claim (excerpt)：
ストライプ状の正電極と、その正電極の位置に対応した窒化物半導体層に、ストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記導波路の共振面は基板の劈開により形成されており、劈開面側の正電極端面が、劈開面よりも内側にあることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭50-079287
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社
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