半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148397
Publication number (International publication number)：1996017947
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の半導体装置は、高電圧を印加してトンネル電流を流す部分の膜を除去し、真空あるいは気体を充填し、キャリアトラップを生じない、すなわち書込み/消去により劣化しない膜を構成することを目的とする。【構成】半導体基板と電荷蓄積層との間に少なくとも一部が真空あるい気体になっている半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書替え可能なメモリセルをマトリックス配置してなるセルアレイを備えた半導体装置において、前記半導体基板と電荷蓄積層の間の少なくとも一部が真空あるいは気体になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262227 Applicant：株式会社東芝
特開平4-158582
半導体記憶装置の駆動方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331851 Applicant：ローム株式会社

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Cited by examiner (9)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262227 Applicant：株式会社東芝
特開平4-158582
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