導電性緩衝中間層構造を有する炭化ケイ素基質上の第III族窒化物フォトニックデバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000515300
Publication number (International publication number)：2001519603
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるように、緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを開示する。

Claim (excerpt)：

第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスであって、前記デバイスが炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;前記炭化ケイ素基質と前記オプトエレクトロニックダイオードとの間の、窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および前記緩衝構造内に生じる応力誘発破壊が前記緩衝構造内の他の場所ではなくて前記特定領域に生じるように、前記緩衝構造の結晶構造内に複数の所定応力除去領域を含む応力吸収構造を含むオプトエレクトロニックデバイス。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20

F-Term (11)：

5F041AA21 , 5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA75 , 5F052JA07 , 5F052JA10 , 5F052KA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344219 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279546 Applicant：日亜化学工業株式会社
六方晶半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-189108 Applicant：株式会社東芝

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