Pat
J-GLOBAL ID：200903056426394120
導電性緩衝中間層構造を有する炭化ケイ素基質上の第III族窒化物フォトニックデバイス
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000515300
Publication number (International publication number)：2001519603
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：
【要約】炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるように、緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスを開示する。
Claim (excerpt)：
第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックデバイスであって、前記デバイスが炭化ケイ素基質;第III族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード;前記炭化ケイ素基質と前記オプトエレクトロニックダイオードとの間の、窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造;および前記緩衝構造内に生じる応力誘発破壊が前記緩衝構造内の他の場所ではなくて前記特定領域に生じるように、前記緩衝構造の結晶構造内に複数の所定応力除去領域を含む応力吸収構造を含むオプトエレクトロニックデバイス。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
5F041AA21
, 5F041AA40
, 5F041CA03
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA75
, 5F052JA07
, 5F052JA10
, 5F052KA02
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