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J-GLOBAL ID:200903056450904253

シリコン微小細線からなる3次元構造体、その製造方法及びそれを利用した装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003151255
Publication number (International publication number):2004058267
Application date: May. 28, 2003
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
【課題】信頼性の高い極微小なシリコン微小細線からなる、3次元構造体、その3次元構造体の製造方法及びそれを利用した装置を提供する。【解決手段】シリコン微小細線からなる3次元構造体であって、単結晶材料の結晶性を用いたウェットエッチングにより、ナノ乃至ミクロンオーダのワイヤ2を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
単結晶材料の結晶性を用いたウェットエッチングにより得られる微小なナノ乃至ミクロンオーダのワイヤから形成されることを特徴とするシリコン微小細線からなる3次元構造体。
IPC (10):
B82B1/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  G01G3/16 ,  G01K7/16 ,  G01L1/10 ,  G01N13/16 ,  G01R33/02 ,  G12B21/08
FI (10):
B82B1/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  G01G3/16 ,  G01K7/16 Z ,  G01L1/10 Z ,  G01N13/16 C ,  G01R33/02 B ,  G12B1/00 601D
F-Term (3):
2G017AA01 ,  2G017AD02 ,  2G017AD03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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