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J-GLOBAL ID：200903056500486750
n型窒化物半導体の電極
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997160726
Publication number (International publication number)：1999008410
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 n型層に形成するn電極がn型層との好ましいオーミック接触を得ると共に、過酷な使用条件でも変質しにくいn電極を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層表面12に形成された電極23が、少なくとも、チタン、ジルコニウム及びタングステンの少なくとも1種からなる第一の電極材料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくとも1種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからなる第三の電極材料を含有する、また第一〜第三の電極材料と金からなる第四の電極材料を含有する。
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体層表面に形成された電極において、該電極が少なくとも、チタン、ジルコニウム及びタングステンの少なくとも1種からなる第一の電極材料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくとも1種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからなる第三の電極材料を含有することを特徴とするn型窒化物半導体の電極。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01S 3/18
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
, H01S 3/18
Cited by examiner (7)
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