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J-GLOBAL ID：200903056510490550

薄膜トランジスタのアクティブ層およびその製造方法

Inventor：
車 東雲

About 車 東雲


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270264
Publication number (International publication number)：1996255917
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【課題】 低ディポジッションレートで化学気相成長法によって成膜された電気的特性がすぐれたアモルファスシリコン層と高ディポジッションレートで化学気相成長法によって成膜された物理、機械的特性がすぐれたアモルファスシリコン層とに区分して蒸着することにより、タクトタイムを半減し、かつ相対的に電気的特性の劣化や接着力など物理機械的な特性が劣化されないTFT基板を製作することにある。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタのアクティブ層は、ゲート絶縁膜と連続して低ディポジッションレートで成膜された細密アモルファスシリコン層と、前記細密アモルファスシリコン層より高いディポジッションレートで成膜された粗アモルファスシリコン層とを含んで構成される。
Claim (excerpt)：
ゲート絶縁膜と連続して低ディポジッションレートで成膜された細密アモルファスシリコン層と、前記細密アモルファスシリコン層より高いディポジッションレートで成膜された粗アモルファスシリコン層とを含んで構成されることを特徴とする薄膜トランジスタのアクティブ層。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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