半導体発光素子用の電極

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997288770
Publication number (International publication number)：1999121804
Application date： Oct. 21, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体側に形成された金属薄膜と該金属薄膜の上部に形成された金属酸化物薄膜とを有する透光性電極と金属薄膜よりなるワイヤボンド用のパッド電極とからなる半導体発光素子用の電極において、透光性電極とパッド電極との電気的接触を確実に得ることができ、かつ、電極下での発光を有効に取り出すことのできる構造の電極を提供する。さらに、電極とワイヤの接着強度を改良した電極を提供する。【解決手段】透光性電極の一部をパッド電極上の少なくとも一部に重ねて形成する。特に透光性電極をパッド電極上の全面を覆って形成し、パッド電極と重なった部分の透光性電極の金属酸化物薄膜を除去する。さらに、パッド電極と重なった部分の透光性電極の金属酸化物薄膜を除去し、その部分に金線との接着性に優れる金属を積層する。

Claim (excerpt)：

半導体側に形成された金属薄膜と該金属薄膜の上部に形成された金属酸化物薄膜とを有する透光性の第1の電極と金属薄膜よりなるワイヤボンド用の第2の電極とからなる半導体発光素子用の電極において、前記第1の電極の一部を前記第2の電極上の少なくとも一部に重ねて形成したことを特徴とする半導体発光素子用の電極。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234684 Applicant：日亜化学工業株式会社
化合物半導体を用いた青色発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-230688 Applicant：株式会社東芝
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284074 Applicant：三洋電機株式会社

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